阵列基板制备方法、阵列基板以及显示装置

摘要

本发明属于显示技术领域，涉及一种阵列基板制备方法、阵列基板以及显示装置。一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成薄膜晶体管和形成存储电容的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述存储电容包括第一极板和第二极板，其中，所述源极、所述漏极与所述第一极板同层设置，且由非晶硅层通过一次离子注入工艺、并经过激光照射工艺对形成所述非晶硅层的非晶硅材料进行晶化以及对掺杂离子进行激活而形成。本发明的有益效果是：大大节省了工艺步骤和工艺成本，使得低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的大规模量产易于实现；还同时提高了阵列基板的性能以及相应的显示装置的性能。

主权项

一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成薄膜晶体管和形成存储电容的步骤，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极，所述存储电容包括第一极板和第二极板，其特征在于，所述源极、所述漏极与所述第一极板同层设置，且由非晶硅层通过一次离子注入工艺、并经过第一次激光照射工艺对形成所述非晶硅层的非晶硅材料进行晶化以及经过第二次激光照射工艺对掺杂离子进行激活而形成，其中：所述非晶硅层通过构图工艺形成有源层硅岛和极板硅岛，在所述有源层硅岛的相对的两端以及所述极板硅岛通过离子注入工艺注入掺杂离子；第一次激光照射处理使得所述有源层硅岛和所述极板硅岛晶化；第二次激光照射处理激活所述有源层硅岛和所述极板硅岛中在离子注入工艺中注入的掺杂离子，从而形成所述源极、所述漏极和所述第一极板。