一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法，GaN基增强型功率电子器件包括：衬底；形成于衬底之上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；以及形成于薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构之上的栅极、源极和漏极；其中，在栅极与源极以及栅极与漏极之间的access区域形成有AlN钝化层，利用具有极化特性的该AlN钝化层恢复该AlN钝化层下薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结沟道中的二维电子气，从而降低器件的导通电阻，同时抑制器件的高压电流坍塌。利用本发明，提高了GaN基增强型器件阈值电压的可控度和一致性，解决了GaN基增强型器件的工艺重复性，有助于提高GaN基增强型电子器件的成品率，推动GaN基功率电子器件的产业化进程。

主权项

一种GaN基增强型功率电子器件，其特征在于，包括：衬底；形成于衬底之上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；以及形成于薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构之上的栅极、源极和漏极；其中，在栅极与源极以及栅极与漏极之间的接入区域形成有AlN钝化层，利用具有极化特性的该AlN钝化层恢复该AlN钝化层下薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结沟道中的二维电子气，从而降低器件的导通电阻，同时抑制器件的高压电流坍塌。