发明名称 |
MEMORY CELL WITH RETENTION USING RESISTIVE MEMORY |
摘要 |
저항성 메모리를 사용하는 기억을 갖는 메모리 셀을 포함하는 장치가 개시된다. 이러한 장치는, 제1 노드 및 제2 노드를 갖는 교차 결합형 셀들을 포함하는 메모리 엘리먼트; 제1 노드에 결합되는 제1 트랜지스터; 제2 노드에 결합되는 제2 트랜지스터; 및 제1 및 제2 트랜지스터들에 결합되는 저항성 메모리 엘리먼트를 포함한다. |
申请公布号 |
KR20160021259(A) |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
KR20167001199 |
申请日期 |
2013.08.16 |
申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
AUGUSTINE CHARLES;TOKUNAGA CARLOS;TSCHANZ JAMES W. |
分类号 |
G11C14/00;G11C13/00 |
主分类号 |
G11C14/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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