发明名称 MEMORY CELL WITH RETENTION USING RESISTIVE MEMORY
摘要 저항성 메모리를 사용하는 기억을 갖는 메모리 셀을 포함하는 장치가 개시된다. 이러한 장치는, 제1 노드 및 제2 노드를 갖는 교차 결합형 셀들을 포함하는 메모리 엘리먼트; 제1 노드에 결합되는 제1 트랜지스터; 제2 노드에 결합되는 제2 트랜지스터; 및 제1 및 제2 트랜지스터들에 결합되는 저항성 메모리 엘리먼트를 포함한다.
申请公布号 KR20160021259(A) 申请公布日期 2016.02.24
申请号 KR20167001199 申请日期 2013.08.16
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 AUGUSTINE CHARLES;TOKUNAGA CARLOS;TSCHANZ JAMES W.
分类号 G11C14/00;G11C13/00 主分类号 G11C14/00
代理机构 代理人
主权项
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