| 发明名称 | 多沟道鳍式结构的绝缘栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多沟道鳍式结构的绝缘栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、栅漏电大及鳍式结构器件电流低的问题。其依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)、绝缘栅介质层(5)和源漏栅电极，源漏电极分别位于SiN层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层异质结与SiN层之间设有GaN和AlGaN层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；绝缘栅介质层覆盖在第二层异质结顶部并包裹第一层及第二层异质结的两侧壁；栅电极位于绝缘栅介质层上。本发明器件栅控能力强，饱和电流大，栅漏电低，可用于短栅长低功耗低噪声微波功率器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105355657A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510847082.8 | 申请日期 | 2015.11.27 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 王冲;魏晓晓;何云龙;郑雪峰;马晓华;张进成;郝跃 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 一种多沟道鳍式结构的绝缘栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)、绝缘栅介质层(5)和源漏栅电极，源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧的顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层AlGaN/GaN异质结(2)与SiN钝化层(4)之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；绝缘栅介质层(5)位于SiN钝化层(4)之间，覆盖在第二层异质结(3)的顶部并包裹第一层异质结(2)及第二层异质结(3)的两个侧壁；栅电极覆盖整个绝缘栅介质层。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||