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일면측에 제2 도전형의 불순물 원소가 확산된 불순물 확산층(102)을 갖는 제1 도전형의 실리콘 기판(101)과, 불순물 확산층(102)에 전기적으로 접속하여 실리콘 기판(101)의 일면측에 일정한 간격을 두고 병렬 배치된 복수개의 그리드 전극을 갖는 수광면측 전극(105)과, 실리콘 기판(101)의 타면측에 형성된 이면측 전극(104)을 구비하고, 불순물 확산층(102)은, 불순물 원소를 제1의 농도로 포함하는 제1 불순물 확산층(102a)과, 불순물 원소를 제1의 농도보다도 낮은 제2의 농도로 포함하는 제2 불순물 확산층(102b)으로 이루어지고, 제1 불순물 확산층(102a)은, 수광면측 전극(105)의 그리드 전극의 길이 방향에 수직한 방향을 길이 방향으로 하고, 또한 제1 불순물 확산층(102a)에서의 그리드 전극의 길이 방향에 평행한 방향의 최대폭이 균일폭으로 됨과 함께 길이 방향의 길이가 제1 불순물 확산층(102a)의 길이 방향의 길이와 동일하게 된 띠형상의 영역에 대한 면적 비율이 50% 이하이다. |
