| 主权项 |
一种感测器，系具备包含矽的基底基板、设置于前述基底基板的上方的晶种体、以及与前述晶种体晶格匹配或拟晶格匹配且由吸收光或热生成载子的3至5族化合物半导体所构成的光热吸收体，前述光热吸收体系依入射至前述光热吸收体的入射光或对前述光热吸收体所施加的热而输出电信号者，其中，复具备形成于前述基底基板的上方且具有使前述基底基板的至少一部份区域露出的开口并可阻碍结晶成长的阻碍体，前述晶种体系形成于前述开口的内部，且其中，前述晶种体系由Cx2Siy2Gez2Sn1-x2-y2-z2(0≦x2<1、0≦Y2≦1、0≦z2≦1，且0<x2+y2+z2≦1)所构成，邻接于前述基底基板和前述晶种体的界面在前述基底基板内复包含组成为Cx2Siy2’Gez2Sn1-x2-y2-z2(0≦x2<1、0<y2’≦1、0≦z2≦1、0<x2+y2+z2≦1，且y2<y2’<1)的界面区域。
|
