| 发明名称 |
磊晶晶圆及其制造方法 |
| 摘要 |
明提供一种摄影元件制造用的磊晶晶圆的制造方法，是制造摄影元件制造用的磊晶晶圆的方法，其特征在于：在前述磊晶层之成长前，计算在前述摄影元件之制造后，前述磊晶层中的氧浓度成为4×1017 atoms/cm3以上之区域的厚度X；而在前述磊晶层之成长中，除了前述厚度X以外，进而以于前述摄影元件之制造后的磊晶层中的氧浓度未满4×1017 atoms/cm3之区域的厚度成为6 μm以上的厚度之方式，来成长前述磊晶层。
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| 申请公布号 |
TWI523206 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
| 申请号 |
TW101138713 |
申请日期 |
2012.10.19 |
| 申请人 |
信越半导体股份有限公司 |
发明人 |
星亮二;樱田昌弘;布施川泉 |
| 分类号 |
H01L27/14(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种磊晶晶圆的制造方法，是藉由CZ法来培育矽单晶，并由该矽单晶来制作矽晶圆，然后于该矽晶圆上成长磊晶层，藉此来制造摄影元件制造用的磊晶晶圆的方法，其特征在于：在前述磊晶层之成长前，对因于前述摄影元件之制造中，氧自前述矽晶圆扩散至前述磊晶层，而使前述磊晶层中的氧浓度，于前述摄影元件之制造后，成为4×1017 atoms/cm3以上之区域的厚度X，进行计算；而在前述磊晶层之成长中，除了前述厚度X以外，进而以于前述摄影元件之制造后的磊晶层中的氧浓度未满4×1017 atoms/cm3之区域的厚度成为6 μm以上的厚度之方式，来成长前述磊晶层。
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| 地址 |
日本 |
