发明名称 用来管理一记忆装置之方法以及记忆装置与控制器
摘要 明提供一种用来管理一记忆装置之方法以及其相关之记忆装置与控制器,该方法包含有下列步骤:将接收自一主装置之资料暂时地储存于该控制器中之一挥发性记忆体作为接收资料,并动态地监控该接收资料的资料量以决定是否立即将该接收资料写入至少一非挥发性记忆体元件;以及当决定立即将该接收资料写入该至少一非挥发性记忆体元件时,将该接收资料直接写入一特定非挥发性记忆体元件当中被组态成多阶细胞记忆区块之一特定区块,而非藉由先将该接收资料暂时地写入被组态成单阶细胞记忆区块之任何其它区块来间接地写入该特定区块。
申请公布号 TWI523016 申请公布日期 2016.02.21
申请号 TW102144913 申请日期 2013.12.06
申请人 慧荣科技股份有限公司 发明人 周柏昇;范育玮;詹仲元
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 吴丰任;戴俊彦
主权项 一种用来管理一记忆装置之方法,该记忆装置包含至少一非挥发性(Non-volatile,NV)记忆体元件,每一非挥发性记忆体元件包含复数个区块(Block),该方法系应用于该记忆装置中之一控制器,该控制器系用来控制该至少一非挥发性记忆体元件,该方法包含有下列步骤:将接收自一主装置(Host Device)之资料暂时地储存于该控制器中之一挥发性记忆体作为接收资料,并动态地监控该接收资料的资料量以决定是否立即将该接收资料写入该至少一非挥发性记忆体元件,其中接收自该主装置之至少一写入指令指出该主装置要求写入该资料;以及当决定立即将该接收资料写入该至少一非挥发性记忆体元件时,将该接收资料直接写入该至少一非挥发性记忆体元件中之一特定非挥发性记忆体元件当中被组态成多阶细胞(Multiple Level Cell,MLC)记忆区块之一特定区块,而非藉由先将该接收资料暂时地写入被组态成单阶细胞(Single Level Cell,SLC)记忆区块之任何其它区块来间接地将该接收资料写入该特定区块。
地址 新竹县竹北市台元街36号8楼之1