埋入式数位线存取元件及记忆体阵列

摘要

明披露一种记忆体阵列结构，包括复数条数位线沟槽，设于基材中，其中该些数位线沟槽沿着一第一方向延伸，且各数位线沟槽包含一上部以及一增宽的下部；一埋入式数位线，介于该些数位线沟槽之间；一沟槽填充材料层，位于各该数位线沟槽内，其中该沟槽填充材料层于该增宽的下部密封出一气隙；复数条字元线沟槽，沿着一第二方向延伸；一主动切槽，设于该埋入式数位线之端部；一屏蔽层，位于该气隙中；以及一侧壁导体，设于该主动切槽之侧壁。

主权项

一种记忆体阵列结构，包含有：一基材；复数条数位线沟槽，设于该基材中，其中该些数位线沟槽沿着一第一方向延伸，且各该数位线沟槽包含一上部以及一增宽的下部；一位于该基材中的埋入式数位线，介于相邻的该些数位线沟槽之间，其中该埋入式数位线与该增宽的下部位于同一水平面上，并且该埋入式数位线直接接触该增宽的下部；一沟槽填充材料层，位于各该数位线沟槽内，其中该沟槽填充材料层完全填充该数位线沟槽的该上部，并且共形地覆盖该数位线沟槽的该增宽的下部并且于该增宽的下部密封出一气隙；复数条字元线沟槽，沿着一第二方向延伸；一主动切槽，设于该埋入式数位线之端部；一屏蔽层，位于该气隙中；以及一侧壁导体，设于该主动切槽之侧壁。