双轴应变场效电晶体元件

摘要

明系关于一种与场效电晶体形成接触之方法，其提供一内埋式应力层边缘松弛，于该内埋式应力层上方之初始松弛表面半导体层中引发应变。一方法可以含具有适当厚度及锗浓度之内埋式矽锗层之矽或绝缘层上覆矽基板开始进行。可使用其他应力材料。沟槽经蚀刻穿过前金属介电质至FET接触。蚀刻进一步延伸至基板中，通过表面矽层，通过矽锗层并进入矽锗层下方之基板中。该进一步蚀刻系进行至一可充分边缘松弛以于FET表面层引发所需程度的纵向应变之深度。随后加工形成延伸通过该前金属介电质及至少部份深入基板内之沟槽中之接触。

主权项

一种制造半导体元件之方法，其包含：提供具有一半导体表面层之一基板，该基板具有布置于该基板内一深度处且邻接该半导体表面层布置之一应力层，该内埋式应力层相较于该半导体表面层系以承受应力状态提供；于该半导体表面层上形成一场效电晶体，该场效电晶体包含源极及汲极区域及一闸极结构；于该场效电晶体上形成一前金属介电层；于该前金属介电层中蚀刻开孔并蚀刻至曝露该基板中位于该闸极结构各侧上之接触部分；蚀刻深入该基板中该前金属介电质之开孔内，该蚀刻进行至足够深度，以致该应力层于该半导体表面层中引发应力，而于该场效电晶体之通道区域中经由边缘松弛提供该上半导体层纵向应力；及与该等源极及汲极区域形成电接触，其中该等接触系至少部份地形成于该基板内。