发明名称 |
基板处理装置及基板处理方法 |
摘要 |
调整激发电力施加部之输出变动,和偏
压电力施加部之输出变动之时序,抑制偏压用高频电力之振幅之增大而防止异常放电等之问题产生于未然之基板处理方法。
系属于使用基板处理装置之基板处理方
法,该基板处理装置具有载置台(23)、与此对向配置之上部电极(24)、对上部电极(24)施加气体激发用高频电力之激发电力施加部(35)、和对下部电极(23)施加偏压用高频电力之偏压电力施加部(27)。
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申请公布号 |
TWI523582 |
申请公布日期 |
2016.02.21 |
申请号 |
TW099109661 |
申请日期 |
2010.03.30 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司 |
发明人 |
大濑刚;桧森慎司;阿部淳;山田纪和 |
分类号 |
H05H1/16(2006.01);H05H1/46(2006.01);H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
H05H1/16(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种基板处理方法,系属于使用基板处理装置之基板处理方法,该基板处理装置具有收容室,其系用以收容基板;下部电极,其系被配置在该收容室内,且被形成保持上述基板;激发电力施加部,其系对上述收容室内施加气体激发用高频电力;和偏压电力施加部,其系对上述下部电极施加偏压用高频电力;该基板处理方法之特征为:以在特定时序变更上述激发电力施加部之输出使上述气体激发用高频电力间歇性地变化之方式进行控制,同时以上述偏压电力施加部之输出随着特定之脉冲周期而周期性地变化之方式进行控制,并且以下述方式进行控制:藉由上述激发电力施加部之控制,当在上述收容室内无电浆之状态或余辉(Afterglow)状态之时,在与上述特定之脉冲周期不同之时序使上述偏压电力施加部成为关闭,或其输出较上述激发电力施加部之输出为高功率输出之时的上述偏压电力施加部之输出下垂。
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地址 |
日本 |