| 摘要 |
본 발명은 갈륨함유 질화물 반도체 소자의 저항성 금속 접촉 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 포토 리소그라피 공정을 통해 질화물계 기판의 상부면을 식각하여 금속 접촉 형성 영역에 대응되는 패턴을 형성하는 단계; 상기 질화물계 기판 위에 금속 접촉 미형성 영역에 대응되는 패턴을 가지는 포토 레지스터 패턴을 형성하는 단계; 상기 질화물계 기판과 상기 포토 레지스터 패턴 위에 미세 분말 형태의 절연 물질을 산포하는 단계; 상기 절연 물질이 산포된 상기 질화물계 기판과 상기 포토 레지스터 패턴 위에 금속을 형성하는 단계; 상기 포토 레지스터 위에 형성된 절연 물질과 금속을 리프트-오프시키는 단계; 및 열처리를 진행하여 상기 질화물계 기판에 형성된 금속이 저저항 특성을 가지도록 하는 단계를 포함할 수 있다. |
