| 摘要 |
Ein geformtes Flipchip-Halbleitergehäuse umfasst einen Leiterrahmen mit gegenüberliegender erster und zweiter Hauptoberfläche, einer ersten Metallisierung auf der ersten Hauptoberfläche, einer zweiten Metallisierung auf der zweiten Hauptoberfläche, vertieften Regionen, die sich von der ersten Hauptoberfläche in Richtung der ersten Hauptoberfläche erstrecken, sowie voneinander beabstandeten Anschlüssen, die zwischen Spalten in der ersten Metallisierung chemisch in den Leiterrahmen geätzt werden. Das Gehäuse umfasst ferner einen Halbleiter-Nacktchip, der eine Vielzahl von Kontaktstellen, die den Anschlüssen des Leiterrahmens zugewandt und an diesen befestigt sind, eine erste Formmasse, welche die vertieften Regionen füllt, und eine zweite Formmasse umfasst, die den Halbleiter-Nacktchip umgibt und den Zwischenraum zwischen den Anschlüssen füllt, sodass die zweite Formmasse an die erste Formmasse angrenzt. A ist die Gesamtdicke des Leiterrahmens, B ist der Abstand zwischen angrenzenden der Anschlüsse, und B/A < 1. |
