Einstellen der Ladungsträgerlebensdauer in einem bipolaren Halbleiterbauelement

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren und ein Halbleiterbauelement. Das Verfahren umfasst das Implantieren von Rekombinationszentrumatomen über eine erste Oberfläche in einem Halbleiterkörper; und das Bewirken, dass die implantierten Rekombinationszentrumatome in einem ersten Diffusionsprozess in dem Halbleiterkörper diffundieren.