发明名称 lonenbearbeitungsvorrichtung
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ionenbearbeitungsvorrichtung zum Emittieren eines Ionenstrahls auf eine Probe, um die Probe zu bearbeiten, die in der Lage ist, die Temperatur der Probe unabhängig von Verformungen und dergleichen der mit dem Ionenstrahl bestrahlten Probe mit hoher Genauigkeit zu steuern. Vorgeschlagen wird eine Ionenbearbeitungsvorrichtung mit einem Abschirmungshalteelement zum Halten einer Abschirmung zum Abschirmen der Probe gegen den Ionenstrahl, während ein Teil der Probe dem Ionenstrahl ausgesetzt ist; und/oder mit einem Verschiebemechanismus zum Verschieben der Oberfläche des Probentisches, die mit der Probe in Kontakt steht, entsprechend einer Verformung der Probe beim Bestrahlen mit dem Ionenstrahl, wobei der Verschiebemechanismus einen Temperatursteuermechanismus zum Steuern der Temperatur des Abschirmungshalteelements und/oder des Probentisches aufweist; und/oder mit ein Probenhalteelement zwischen der Abschirmung und der Probe, wobei sich das Probenhalteelement so verformt, daß es einer Verformung der Probe bei der Bestrahlung mit dem Ionenstrahl folgt.
申请公布号 DE112014002250(T5) 申请公布日期 2016.02.18
申请号 DE20141102250T 申请日期 2014.04.28
申请人 HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 发明人 KANEKO, ASAKO;TAKASU, HISAYUKI;MUTOU, HIROBUMI;KONOMI, MAMI;IWAYA, TORU
分类号 H01J37/20;G01N1/28;H01J37/30 主分类号 H01J37/20
代理机构 代理人
主权项
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