超晶格纳米线场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种超晶格纳米线场效应晶体管及其形成方法，超晶格纳米线场效应晶体管的形成方法包括：提供衬底，衬底具有凹槽，衬底上具有至少两层叠置的纳米线、栅极结构，纳米线悬置于凹槽，相互叠置的纳米线之间具有预定间距，栅极结构包括栅极、位于栅极和纳米线之间的栅介质层，栅极结构位于凹槽底部上且包围至少两层叠置的纳米线，纳米线的长度大于栅极的宽度；在栅极结构四周形成侧墙；去除伸出侧墙的纳米线；利用外延生长法在侧墙的外侧形成源极、漏极。本技术方案用外延生长法形成源极和漏极，可以将需要掺杂的离子伴随着源极和漏极的形成掺杂在源极、漏极中，避免现有技术中利用离子注入形成源极、漏极而导致源极和漏极中的离子掺杂不均匀的问题。

主权项

一种形成超晶格纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有凹槽，所述衬底上具有至少两层叠置的纳米线、栅极结构，所述纳米线悬置于所述凹槽，相互叠置的纳米线之间具有间距，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极和纳米线之间的栅介质层，所述栅极结构位于所述凹槽底部上且包围所述至少两层叠置的纳米线，所述纳米线的长度大于所述栅极的宽度；在所述栅极结构四周形成侧墙；去除伸出侧墙的纳米线；利用原位掺杂外延方法在所述侧墙的外侧形成源极、漏极。