| 发明名称 | 掺杂剂含量低的多晶硅块材 | ||
| 摘要 | 本发明涉及多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为1至50ppta，磷的浓度为1至50ppta。 | ||
| 申请公布号 | CN103213988B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201310027483.X | 申请日期 | 2013.01.24 |
| 申请人 | 瓦克化学股份公司 | 发明人 | H·沃赫纳;A·基林格;R·佩赫 |
| 分类号 | C01B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;G01N33/20(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 李振东;过晓东 |
| 主权项 | 多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为1至50ppta，磷的浓度为1至50ppta。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||