一种微腔结构阵列的制备方法

摘要

本发明提供一种微腔结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：步骤A：在硅衬底基片上，生长氮化硅膜或二氧化硅膜或碳化硅膜；步骤B：在所述氮化硅膜或二氧化硅膜或碳化硅膜上施加光刻胶；步骤C：采用激光干涉曝光技术在所述光刻胶上制备圆形结构阵列；步骤D：将所述光刻胶的圆形结构阵列转移至所述硅衬底基片。该方法基于激光干涉曝光技术，并结合干法刻蚀和湿法腐蚀技术，可以进行大面积亚微米尺寸的结构阵列的加工，能控制微腔结构阵列的周期，有效的改变微腔顶盖开口尺寸、微腔大小。

主权项

一种微腔结构阵列的制备方法，包括以下步骤： 步骤A：在硅衬底基片上，生长氮化硅膜或二氧化硅膜或碳化硅膜； 步骤B：在所述氮化硅膜或二氧化硅膜或碳化硅膜上施加光刻胶； 步骤C：采用激光干涉曝光技术在所述光刻胶上制备圆形结构阵列； 步骤D：将所述光刻胶的圆形结构阵列转移至所述氮化硅膜或二氧化硅膜或碳化硅膜以及所述硅衬底基片。