| 发明名称 | 一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法，通过在第一导电类型外延层上生成第二导电类型体区后，在所述第一导电类型外延层上生成第一氧化层；在所述第一氧化层上光刻出用于刻蚀沟槽的掩膜图形，并根据该掩膜图形对所述第一氧化层进行刻蚀；将未被刻蚀的第一氧化层作为掩膜刻蚀倾斜沟槽；对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂，生成第一导电类型掺杂沟道区，简化了掺杂沟道区的制备工艺，制作成的沟槽耗尽型VDMOS器件，能够在低压场合下应用，解决了现有技术中存在的大多平面型耗尽MOS管并不适合在低压场合下应用的技术问题。 | ||
| 申请公布号 | CN105336785A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410404340.0 | 申请日期 | 2014.08.15 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 赵圣哲;马万里 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种耗尽型垂直双扩散场效应晶体管VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一导电类型外延层上生成第二导电类型体区后，在所述第一导电类型外延层上生成第一氧化层；在所述第一氧化层上光刻出用于刻蚀沟槽的掩膜图形，并根据该掩膜图形对所述第一氧化层进行刻蚀；将未被刻蚀的第一氧化层作为掩膜刻蚀倾斜沟槽；对所述倾斜沟槽的内部侧壁进行离子掺杂，生成第一导电类型掺杂沟道区；去除所述第一氧化层，依次制作栅氧化层、多晶硅层，将所述多晶硅层刻蚀后制作第一导电类型源区；在所述栅氧化层和多晶硅层的表面生成介质层，制作接触孔和金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||