发明名称 - BACK-ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSORS
摘要 후면-조명된 이미지 센서(500)는 절연층(604)과 센서층에 전기적으로 접속된 회로층 사이에 배치되는 센서층(606)을 포함한다. 이미징 영역은 이미징 영역에 걸쳐있는 웰(800) 및 센서층에 형성되는 다수의 광검출기들(616)을 포함한다. 웰은 센서층의 후면과 광검출기들 사이에 배치될 수 있거나, 웰은 광검출기들과 매립 웰 사이에 형성되는 영역을 포함하는 센서층의 후면에 인접하게 형성된 매립층일 수 있다. 하나 이상의 측면 웰들은 각각의 광검출기들에 인접하게 측방으로(laterally) 형성될 수 있다. 웰의 도펀트는 도펀트가 센서층과 절연층 사이의 인터페이스(704)의 센서층 측면상에 축적되게 하는 편절 계수(segregation coefficient)를 갖는다.
申请公布号 KR101594927(B1) 申请公布日期 2016.02.17
申请号 KR20117012969 申请日期 2009.11.05
申请人 옴니비전 테크놀러지즈 인코포레이티드 发明人 앤더슨, 토드, 제프리;맥카르텐, 존, 피.;섬마, 죠셉, 알.;티바루스, 크리스티안, 알렉산드루;스티븐스, 에릭, 고돈
分类号 H01L27/146 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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