一种后金属栅极中功函数层调节方法

摘要

本发明涉及半导体器件优化领域，尤其涉及一种后金属栅极工艺中调节功函数层的方法，通过在高k后金属栅半导体工艺中，利用铝离子注入TiN并退火形成TiAlN，替代单独淀积的TiAl层实现NMOS功函数层。只用一次金属膜淀积就实现了N型和P型两种功函数层，还省去了一般后金属栅制程中的阻挡层及选择性去除工艺，大大地简化了制程，同时通过控制Al的注入量也更容易实现NMOS功函数的调节。

主权项

一种后金属栅极中功函数层调节方法，其特征在于，包括：提供一具有第一凹槽的NMOS区域和具有第二凹槽的PMOS区域的半导体器件，且所述NMOS区域设置有第一凹槽，所述PMOS区域区域设置有第二凹槽；于所述第一凹槽和所述第二凹槽的内部表面上淀积一厚度均匀的第一功函数层；沉积DUO至所述第一凹槽和所述第二凹槽的顶部平面；刻蚀去除所述第一凹槽内的所述DUO；对所述半导体器件进行离子注入；去除所述第二凹槽内的所述DUO；退火，以于所述NMOS区域形成后金属栅极的第二功函数层。