| 发明名称 | 一种FinFET器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种FinFET器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；在所述鳍片的顶面形成硬掩膜层；对所述鳍片的两侧面分别进行第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入；去除所述硬掩膜层，以露出所述鳍片的顶面；对所述鳍片的顶面进行垂直离子注入；执行退火工艺。根据本发明的方法在鳍片的顶面上形成硬掩膜层后，避免两次倾斜离子注入对鳍片的顶面造成的非晶化影响的产生，进而减少了鳍片中离子注入引起的缺陷，提高了器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105336611A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201410272670.9 | 申请日期 | 2014.06.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种FinFET器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；在所述鳍片的顶面形成硬掩膜层；对所述鳍片的两侧面分别进行第一倾斜离子注入和第二倾斜离子注入；去除所述硬掩膜层，以露出所述鳍片的顶面；对所述鳍片的顶面进行垂直离子注入；执行退火工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||