发明名称 |
具有纳米多孔结构和氧空位的超薄纳米片阵列电催化材料 |
摘要 |
一种具有纳米多孔结构和氧空位的超薄纳米片阵列电催化材料,为在导电基底上垂直于该基底生长的掺杂金属的四氧化三钴初级纳米片阵列,在每一所述初级纳米片获得具有氧空位和纳米多孔的超薄纳米片,所述导电基底为钛片或泡沫镍片,所述掺杂金属为锌、镍或锰;掺杂金属的四氧化三钴超薄纳米片厚度为1.22nm,纳米片上具有三维多孔结构,纳米孔径为3-6nm。本发明的优点是:该材料可有效地降低析氧反应的过电势和起峰电位,提高单个钴原子上的转化率,并在强碱环境连续稳定工作;该材料的制备方法步骤简单、操作方便、成本低廉、对环境非常友好,为电分解水体系析氧催化剂的功能导向性设计与性能优化提供了新的思路和策略。 |
申请公布号 |
CN105332003A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201510865992.9 |
申请日期 |
2015.11.30 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
刘熙俊;罗俊;丁轶 |
分类号 |
C25B11/06(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I |
主分类号 |
C25B11/06(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种具有纳米多孔结构和氧空位的超薄纳米片阵列电催化材料,其特征在于:为在导电基底上垂直于该基底生长的掺杂金属的四氧化三钴初级纳米片阵列,在每一所述初级纳米片获得具有氧空位和纳米多孔的超薄纳米片,所述导电基底为钛片或泡沫镍片,所述掺杂金属为锌、镍或锰,掺杂金属与钴的摩尔比为0.2‑0.5:1;掺杂金属的四氧化三钴超薄纳米片厚度为1.22nm,纳米片上具有三维多孔结构,纳米孔径为3‑6nm。 |
地址 |
300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区 |