发明名称 | MRAM器件的形成方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种MRAM器件的形成方法,包括:提供半导体衬底,该半导体衬底上形成有磁隧道结层;在所述磁隧道结层上形成牺牲层;刻蚀所述牺牲层以在其中形成通孔;在所述通孔的内侧壁上形成侧墙;对所述通孔底部的磁隧道结层进行第一步刻蚀,以预先去除所述通孔底部的部分磁隧道结层;去除所述牺牲层,以所述侧墙为掩膜对所述磁隧道结层进行第二步刻蚀,去除所述侧墙下方以外的磁隧道结层,所述侧墙下方的磁隧道结层形成环状的磁隧道结。本发明能够避免刻蚀负载效应导致的短路等问题,还具有工艺流程简单的优点。 | ||
申请公布号 | CN105336849A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
申请号 | CN201410260647.8 | 申请日期 | 2014.06.12 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 湛兴龙 |
分类号 | H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张振军 |
主权项 | 一种MRAM器件的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,该半导体衬底上形成有磁隧道结层;在所述磁隧道结层上形成牺牲层;刻蚀所述牺牲层以在其中形成通孔;在所述通孔的内侧壁上形成侧墙;对所述通孔底部的磁隧道结层进行第一步刻蚀,以预先去除所述通孔底部的部分磁隧道结层;去除所述牺牲层,以所述侧墙为掩膜对所述磁隧道结层进行第二步刻蚀,去除所述侧墙下方以外的磁隧道结层,所述侧墙下方的磁隧道结层形成环状的磁隧道结。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |