化合物半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上或上方的氮化物化合物半导体堆叠结构；以及形成在化合物半导体堆叠结构上或上方的栅电极、源电极和漏电极。在化合物半导体堆叠结构的表面处形成有在俯视图中位于栅电极与漏电极之间的凹部。

主权项

一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底上或上方的氮化物化合物半导体堆叠结构；以及形成在所述化合物半导体堆叠结构上或上方的栅电极、源电极和漏电极，其中所述化合物半导体堆叠结构包括：氮化物电子传输层；形成在所述电子传输层上或上方的氮化物电子供给层；以及形成在所述电子供给层上或上方的氮化物表面层，所述表面层包括：GaN下层；形成在所述下层上的AlGaN中间层；以及形成在所述中间层上的GaN上层，以及在所述表面层的在俯视图中在所述栅电极与所述漏电极之间的表面处形成有凹部，所述凹部的深度不小于所述上层和所述中间层的总厚度并且不大于所述上层、所述中间层和所述下层的总厚度。