发明名称 |
Efuse模块及其熔断电流的校准系统和校准方法 |
摘要 |
本发明提供一种Efuse模块,所述Efuse模块至少包括:Efuse,用于所述熔断电流的大小在预设熔断电流范围内时熔断,以记录数据;可编程NMOS阵列,连接于所述Efuse,用于通过编程调整所述熔断电流的大小;其中,所述可编程NMOS阵列包括多个并联连接的NMOS器件,每个NMOS器件的漏极相连后与所述Efuse连接,每个NMOS器件的源极和衬底共同接地,每个NMOS器件的栅极共同组成控制信号端。本发明还提供一种Efuse模块熔断电流的校准系统和校准方法。本发明有效提高了熔断电流的精确度和稳定性,在工艺和环境变化时,熔断电流的精确和稳定保证了Efuse模块的稳定性和可靠性。 |
申请公布号 |
CN105336373A |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201410352688.X |
申请日期 |
2014.07.23 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
陈先敏;杨家奇 |
分类号 |
G11C17/16(2006.01)I;G11C17/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种Efuse模块,用于在熔断电流通过时记录数据,其特征在于,所述Efuse模块至少包括:Efuse,用于所述熔断电流的大小在预设熔断电流范围内时熔断,以记录数据;可编程NMOS阵列,连接于所述Efuse,用于通过编程调整所述熔断电流的大小;其中,所述可编程NMOS阵列包括多个并联连接的NMOS器件,每个NMOS器件的漏极相连后与所述Efuse连接,每个NMOS器件的源极和衬底共同接地,每个NMOS器件的栅极共同组成控制信号端,所述控制信号端适于通过编程控制每个NMOS器件的开关,以调整所述熔断电流的大小。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |