一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺

摘要

本发明提供一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺，涉及电子级多晶硅生产领域。经过精馏提纯的液相三氯氢硅首先进入汽化器，经过加热后汽化，汽化后的三氯氢硅温度为40～110℃；气相三氯氢硅进入固定床对硼和磷元素杂质进行吸附，得到高纯三氯氢硅。本发明实现了三氯氢硅通过吸附过程去除硼、磷元素杂质的工艺方法，大幅降低了三氯氢硅中的含硼和磷元素杂质的含量，提升了三氯氢硅的品质，突破了国外的技术垄断，可为未来实现稳产电子级多晶硅奠定基础。该工艺流程简单，操作简便，能耗较低，除杂效果明显。

主权项

一种三氯氢硅中ppb级硼和磷元素杂质的吸附除杂工艺，其特征在于，将经过精馏提纯的液相三氯氢硅首先进入汽化器，经过加热后发生汽化，汽化后的三氯氢硅温度为40～110℃；气相三氯氢硅进入固定床对硼和磷元素杂质进行吸附，最终得到高纯三氯氢硅。