| 发明名称 | 阵列基板及其修复方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种阵列基板及其修复方法，通过将第一金属层中的存储电容电极与第二金属层中的漏极错开设计，同时将有机材料层中的过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，从而当过孔发生异常，导致像素电极层与漏极不能有效接触时，可采用激光对过孔中对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层与漏极熔接在一起，由于在激光熔接的位点，所述漏极的下方没有设置第一金属层，因而不会出现将第一金属层与第二金属层熔接在一起的情形，能够修复过孔异常引起的点不良，将暗点变为亮点，提升产品良率和产品品质。 | ||
| 申请公布号 | CN105336747A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201510715942.2 | 申请日期 | 2015.10.28 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 姜祥卫 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(2)、设于所述第一金属层(2)上的绝缘层(3)、设于绝缘层(3)上的半导体层(4)、设于半导体层(4)上的第二金属层(5)、设于第二金属层(5)上的有机材料层(6)、及设于所述有机材料层(6)上的像素电极层(7)；所述第一金属层(2)包括扫描线(21)、与扫描线(21)相连的栅极(22)、与栅极(22)间隔设置的存储电容电极(24)、以及与存储电容电极(24)相连的公共电极线(25)；所述第二金属层(5)包括数据线(51)、与数据线(51)相连的源极(52)、以及与源极(52)相对设置的漏极(53)；其中，所述漏极(53)与存储电容电极(24)部分重叠设置，所述有机材料层(6)上对应所述漏极(53)与存储电容电极(24)上方设有过孔(601)，所述过孔(601)的一部分对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)不重叠的区域设置，所述像素电极层(7)通过所述过孔(601)与漏极(53)相接触。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||