| 发明名称 | 通过相同结构的光接收二极管识别紫外线发光二极管的发射辐射 | ||
| 摘要 | 通过相同结构的光接收二极管识别紫外线发光二极管的发射辐射。所述装置包含设置在风化室（1）中的发光二极管（UV-LED）（2）以及紫外线光接收二极管（4），它具有与紫外线发光二极管（2）相同的材料基础，并相对于紫外线发光二极管（2）这样设置，即使在装置运行过程中紫外线发光二极管（2）发射的部分辐射到达紫外线光接收二极管（4）上。 | ||
| 申请公布号 | CN103528939B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201310278368.X | 申请日期 | 2013.07.04 |
| 申请人 | 阿特拉斯材料测试技术公司 | 发明人 | 贝恩德·鲁道夫;彼得·马尔希 |
| 分类号 | G01N17/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 用于试样的人工风化或耐光性检验的装置，包含风化室(1)；设置在风化室(1)中的紫外线辐射装置(20)，它至少包含一个紫外线发光二极管(UV‑LED)(2)；以及紫外线光接收二极管(4)，它包括与紫外线发光二极管(2)相同的半导体层结构，且相对于紫外线发光二极管(2)进行设置，使在装置运行过程中由紫外线发光二极管(2)发射部分辐射到达紫外线光接收二极管(4)上。 | ||
| 地址 | 德国灵森格里希特 | ||