半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构，包括：具有顶面的衬底；位于衬底上方的栅极，栅极包括邻近顶面的基脚区，基脚区包括在顶面之上的低于10nm的高度处横向测量的基脚长度；以及围绕栅极的侧壁的间隔件，间隔件包括在顶面之上的从约10nm至约200nm的高度处横向测量的间隔件宽度。基脚长度为沿着顶面，从基脚区的最宽部分的末端至从栅极主体和间隔件之间的界面延伸的垂直线测量所得，并且间隔件宽度基本上等于或大于基脚长度。本发明还涉及半导体结构的制造方法。

主权项

一种半导体结构，包括：衬底，具有顶面；栅极，位于所述衬底上方，所述栅极包括邻近所述顶面的基脚区，所述基脚区包括在所述顶面之上的低于10nm的高度处横向测量的基脚长度；以及间隔件，围绕栅极主体的侧壁，包括在所述顶面之上的从约10nm至约200nm的高度处横向测量的间隔件宽度，其中，所述基脚长度为沿着所述顶面，从所述基脚区的最宽部分的末端至从所述栅极主体和所述间隔件之间的界面延伸的垂直线测量所得，并且其中，所述间隔件宽度基本上等于或大于所述基脚长度。