发明名称 一种性能高的电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法
摘要 本发明涉及电子封装材料领域,特别是涉及一种性能高的电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:a.混合:将SiC粉与Al粉混合;b.制坯:将上述粉末压制成圆柱形坯体;c.烧结:将圆柱形坯体在高温下进行烧结、热压;d.半固态触变:将上述烧结处理后的坯体经过半固态触变处理,即得。本发明提供了一种利用半固态压铸触变时固液分离的特点,开发了一种新型短流程、易操控、低成本的SiC/Al复合材料制备工艺,SiC颗粒的体积分数可达72vol.%。
申请公布号 CN104388725B 申请公布日期 2016.02.17
申请号 CN201410755066.1 申请日期 2014.12.11
申请人 成都明日星辰科技有限公司 发明人 蒋达伟;蒋洁;张潇潇;毛宗宁
分类号 C22C1/05(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I;C22C29/06(2006.01)I;C22F1/04(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I 主分类号 C22C1/05(2006.01)I
代理机构 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 代理人 徐丰
主权项 一种性能高的电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:a.混合:将SiC粉与Al粉混合;b.制坯:将上述混合粉末压制成圆柱形坯体;c.烧结:将圆柱形坯体在高温下进行烧结、热压;d.半固态触变:将上述烧结处理后的坯体经过半固态触变处理,即得,所述半固态触变处理采用780~800℃,130~140Mpa,8~8.5mm/s的变形温度,变形压力和变形速度参数。
地址 610000 四川省成都市高新区吉泰五路118号3栋2层5号