发明名称 |
一种性能高的电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及电子封装材料领域,特别是涉及一种性能高的电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:a.混合:将SiC粉与Al粉混合;b.制坯:将上述粉末压制成圆柱形坯体;c.烧结:将圆柱形坯体在高温下进行烧结、热压;d.半固态触变:将上述烧结处理后的坯体经过半固态触变处理,即得。本发明提供了一种利用半固态压铸触变时固液分离的特点,开发了一种新型短流程、易操控、低成本的SiC/Al复合材料制备工艺,SiC颗粒的体积分数可达72vol.%。 |
申请公布号 |
CN104388725B |
申请公布日期 |
2016.02.17 |
申请号 |
CN201410755066.1 |
申请日期 |
2014.12.11 |
申请人 |
成都明日星辰科技有限公司 |
发明人 |
蒋达伟;蒋洁;张潇潇;毛宗宁 |
分类号 |
C22C1/05(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I;C22C29/06(2006.01)I;C22F1/04(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/05(2006.01)I |
代理机构 |
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 |
代理人 |
徐丰 |
主权项 |
一种性能高的电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:a.混合:将SiC粉与Al粉混合;b.制坯:将上述混合粉末压制成圆柱形坯体;c.烧结:将圆柱形坯体在高温下进行烧结、热压;d.半固态触变:将上述烧结处理后的坯体经过半固态触变处理,即得,所述半固态触变处理采用780~800℃,130~140Mpa,8~8.5mm/s的变形温度,变形压力和变形速度参数。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区吉泰五路118号3栋2层5号 |