| 发明名称 | 半导体电容器结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体电容器结构，包括：半导体衬底；位于所半导体衬底表面的第一多晶硅层；还包括：位于第一多晶硅层表面，且覆盖第一多晶硅层的侧壁的第一介质层；位于所述第一介质层表面，且覆盖第一介质层的侧壁的第二多晶硅层；贯穿第二多晶硅层、第一介质层，且暴露第一多晶硅层的通孔。相应地，本发明还提供所述半导体电容器结构的形成方法。本发明所提供的半导体电容器结构及其形成方法避免了形成多晶硅纵梁，从而简化了工艺流程。 | ||
| 申请公布号 | CN102214702B | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201110134652.0 | 申请日期 | 2011.05.23 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 江红;孔蔚然;李冰寒 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体电容器结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一多晶硅层；其特征在于，还包括：位于所述第一多晶硅层表面，且完全覆盖第一多晶硅层的第一介质层；位于所述第一介质层表面，且完全覆盖第一介质层的第二多晶硅层；形成在所述第二多晶硅层以及第一介质层内、用于暴露第一多晶硅层的通孔，所述通孔用于形成与第一多晶硅层电连接的第一导电插塞。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||