SRAM存储单元、存储阵列及存储器

摘要

本发明涉及一种SRAM存储单元、存储阵列及存储器。所述SRAM存储单元包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管、第二传输晶体管、第一双栅NMOS晶体管及第二双栅NMOS晶体管。本发明能够解决SRAM存储单元可能存在的写入操作失败的问题。

主权项

一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一传输晶体管以及第二传输晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的漏极及第二传输晶体管的一极连接以形成第一存储节点，所述第二传输晶体管的另一极连接至第一位线；所述第二PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的漏极及第一传输晶体管的一极连接以形成第二存储节点，所述第一传输晶体管的另一极连接至第二位线；所述第一传输晶体管以及第二传输晶体管的控制极连接至字线，所述第一PMOS晶体管的源极及第二PMOS晶体管的源极连接至第一电压，所述第一NMOS晶体管的源极及第二NMOS晶体管的源极连接至第二电压；所述SRAM存储单元还包括：第一双栅NMOS晶体管及第二双栅NMOS晶体管；其中，所述第一双栅NMOS晶体管的第一栅极及第二双栅NMOS晶体管的漏极连接至所述第一存储节点，所述第一双栅NMOS晶体管的第二栅极连接至所述第一位线；所述第二双栅NMOS晶体管的第一栅极及第一双栅NMOS晶体管的漏极连接至所述第二存储节点，所述第二双栅NMOS晶体管的第二栅极连接至所述第二位线；所述第一双栅NMOS晶体管的源极连接至所述第一NMOS晶体管的漏极，所述第二双栅NMOS晶体管的源极连接至所述第二NMOS晶体管的漏极。