| 发明名称 | 用于等离子体反应器的增强等离子体源 | ||
| 摘要 | 提供一种具有改良的线圈天线组件的装置的实施例，该改良的线圈天线组件可提供处理腔室中的增强的等离子体。该改良的线圈天线组件增强对等离子体处理腔室内的等离子体位置的位置控制，并且可被用于蚀刻、沉积、植入、与热处理系统，以及期望控制等离子体位置的其它应用。在一个实施例中，配置成用于半导体处理装置的电极组件包括：RF导电连接器；以及导电构件，该导电构件具有电连接至该RF导电连接器的第一端，其中该导电构件从该RF导电连接器向外并垂直地延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN105340059A | 申请公布日期 | 2016.02.17 |
| 申请号 | CN201480034383.2 | 申请日期 | 2014.05.15 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | V·N·托多罗;G·勒雷;M·D·威尔沃斯;L-S·蒋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 黄嵩泉 |
| 主权项 | 一种配置成用于半导体处理装置中的电极组件，包括：RF导电连接器；以及导电构件，所述导电构件具有电连接至所述RF导电连接器的第一端，其中所述导电构件从所述RF导电连接器向外并垂直地延伸。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||