| 摘要 |
트랜지스터 등의 반도체 소자를 통해 상층과 하층에 형성된 배선 층간의 양호한 접속을 가능하게 하고, 배선의 자유도를 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다. 절연체로 된 기판 위에 제1 절연층과, 제1 절연층 위에 형성된 제1배선층과, 제1 절연층 위에 제1 배선층이 형성된 영역이 외의 영역에 형성된 제2의 절연층과, 제1 배선층 및 제2 절연층 위에 형성되어, 채널 형성 영역과 불순물 영역을 갖는 단결정 반도체층과, 단결정 반도체층의 채널 형성 영역 위에 게이트 절연층을 사이에 두고 형성된 게이트 전극과, 제1 배선층, 제2 절연층, 단결정 반도체층 및 게이트 전극을 덮도록 형성된 제3 절연층과, 제3 절연층 위에 형성된 제2 배선층을 설치하며, 제1 배선층과 단결정 반도체층의 불순물 영역이 접속하고, 제1 배선층과 제2 배선층이 전기적으로 접속한다. |
