发明名称 自旋晶体管
摘要 一种自旋晶体管,是利用单一势垒结构,来提高通过势垒的磁电阻电流的变化率,其含有发射极、集电极、基极与基极电阻。发射极为磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下可提供不同电阻,集电极为被动组件,用以提供单一势垒,基极是间隔于发射极与集电极之间,分别电性导通于发射极与集电极,基极电阻则连接于基极以提供偏压。
申请公布号 CN1761069A 申请公布日期 2006.04.19
申请号 CN200410080485.6 申请日期 2004.10.11
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 黄瀛文;卢志权;谢蓝青;姚永德;黄得瑞;朱朝居
分类号 H01L29/70(2006.01) 主分类号 H01L29/70(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁挥;祁建国
主权项 1、一种自旋晶体管,其特征在于,其包含有:一发射极,为一磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下提供不同电阻;一集电极,为一被动组件,用以提供一势垒;一基极,间隔于该发射极与该集电极之间,该发射极与该集电极透过该基极形成电性导通;及一基极电阻,连接于该基极以提供一偏压。
地址 台湾省新竹县
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