发明名称 | 自旋晶体管 | ||
摘要 | 一种自旋晶体管,是利用单一势垒结构,来提高通过势垒的磁电阻电流的变化率,其含有发射极、集电极、基极与基极电阻。发射极为磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下可提供不同电阻,集电极为被动组件,用以提供单一势垒,基极是间隔于发射极与集电极之间,分别电性导通于发射极与集电极,基极电阻则连接于基极以提供偏压。 | ||
申请公布号 | CN1761069A | 申请公布日期 | 2006.04.19 |
申请号 | CN200410080485.6 | 申请日期 | 2004.10.11 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 黄瀛文;卢志权;谢蓝青;姚永德;黄得瑞;朱朝居 |
分类号 | H01L29/70(2006.01) | 主分类号 | H01L29/70(2006.01) |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
主权项 | 1、一种自旋晶体管,其特征在于,其包含有:一发射极,为一磁电阻组件,在不同外加磁场的情况下提供不同电阻;一集电极,为一被动组件,用以提供一势垒;一基极,间隔于该发射极与该集电极之间,该发射极与该集电极透过该基极形成电性导通;及一基极电阻,连接于该基极以提供一偏压。 | ||
地址 | 台湾省新竹县 |