发明名称 Temperature detection circuit of semiconductor device
摘要 본 발명은 반도체 장치의 온도 감지 회로를 공개한다. 이 회로는 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 장치의 온도 감지 회로는 온도 변화에 따라 가변하는 코드 신호를 출력하는 코드 신호 발생부; 코드 신호 및 제어 신호를 인가받아 비교하여 비교 신호를 출력하는 비교기; 비교 신호에 응답하여 온도 변화와 상관없이 주기가 일정하게 토글되는 기준 클럭을 생성하는 기준 클럭 생성부; 기준 클럭의 수를 카운트하여 기준 온도 코드 신호를 생성하고 오프 셋 값을 이용하여 기준 온도 코드 신호를 변경하여 최종 온도 코드 신호를 출력하는 최종 온도 코드 신호 발생부를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의할 경우 반도체 장치의 온도 데이터가 미세 조절되고 선형적으로 조절되어 정확한 목표 온도 코드값들을 생성할 수 있고 반도체 장치의 성능을 개선할 수 있다.
申请公布号 KR101593603(B1) 申请公布日期 2016.02.15
申请号 KR20090007059 申请日期 2009.01.29
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김시홍;박광일;김현중
分类号 G11C7/04;G11C11/406 主分类号 G11C7/04
代理机构 代理人
主权项
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