検出器結晶のためのサブバンド赤外照射

摘要

本発明は、入射放射線を電気信号に変換する直接変換半導体層による放射線検出に関する。サブバンド赤外（ＩＲ）放射は、放射線を受ける際に直接変換半導体材料における分極を大きく減らし、それにより、計数が、より高い管電流においてベースラインのシフトなく可能になる。ＩＲ照射装置は、読み出し回路に集積され、ＩＲ照射装置が集積された読み出し回路には結晶がフリップチップ接合され、４辺突き合わせ可能な結晶を実現する。