ナフタレンジイミド−ビニレン−オリゴチオフェン−ビニレンポリマーに基づく半導体材料

摘要

本発明は、式（Ｉ）の単位を含むポリマーであって、Ｒ１及びＲ２が互いに独立してＣ１〜Ｃ３０−アルキル、Ｃ２〜Ｃ３０−アルケニル、Ｃ２〜Ｃ３０−アルキニル、フェニル又は５〜８員の複素環系であり、その際、Ｃ１〜Ｃ３０−アルキル、Ｃ２〜Ｃ３０−アルケニル又はＣ２〜Ｃ３０−アルキニル基が、それぞれ、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＯＨ、−ＮＨ２、−ＮＨ（Ｃ１〜２０−アルキル）、−Ｎ（Ｃ１〜２０−アルキル）２、−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−（Ｃ１〜２０−アルキル）、−Ｓ（Ｏ）２ＯＨ、−ＣＨＯ、−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜２０−アルキル、−Ｃ（Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（Ｏ）−ＯＣ１〜２０−アルキル、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ２、−ＣＯ（Ｏ）ＮＨ−Ｃ１〜２０−アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１〜２０アルキル）２、−Ｏ−Ｃ１〜２０アルキル、−ＯＣ（Ｏ）−Ｃ１〜２０−アルキル、−ＳｉＨ３、ＳｉＨ２（Ｃ１〜２０−アルキル）、ＳｉＨ（Ｃ１〜２０−アルキル）２、Ｓｉ（Ｃ１〜２０−アルキル）３、Ｃ４〜８−シクロアルキル、フェニル、及び５〜８員の複素環系からなる群から独立して選択される１〜１０個の置換基で置換されてよく、且つフェニル及び５〜８員の複素環系はＣ１〜１６−アルキル基で置換されてよく、ｏは１、２又は３であり且つｎは２〜１００００の整数である前記ポリマー、前記ポリマーの製造方法、及び前記ポリマーを含む電子デバイスを提供する。