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본 발명의 실시 형태는 저잡음 증폭기에 관한 것이다.본 발명의 실시 형태에 따른 저잡음 증폭기는, 입력 단자; 상기 입력 단자와 전기적으로 연결된 이득 셀(gain cell); 상기 이득 셀과 전기적으로 연결된 소스 폴로어; 상기 소스 폴로어와 전기적으로 연결된 출력 단자; 및 상기 입력 단자와 상기 이득 셀 사이의 노드와, 상기 소스 폴로어와 상기 출력 단자 사이의 노드 사이에 전기적으로 연결된 가변 저항;을 포함하고, 상기 이득 셀은, 상기 입력 단자로부터 입력 신호를 수신하는 커먼 소스부 및 커먼 드레인부를 포함하는 이득부 및 상기 커먼 드레인부와 전기적으로 연결되고, 상기 이득부의 짝수 하모닉 왜곡 성분(even-order harmonic distortion)을 억제(cancelling)시키는 억제부를 포함하는, 상기 억제부는, 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 전압단, 상기 바이어스 전압단과 일단이 전기적으로 연결된 제1 저항, 상기 바이어스 전압단과 일단이 전기적으로 연결된 제2 저항, 상기 제1 저항의 타단에 게이트가 전기적으로 연결된 제1 PMOS 트랜지스터(P channel Metal Oxide Semiconductor Transistor) 및 상기 제2 저항의 타단에 게이트가 전기적으로 연결된 제2 PMOS 트랜지스터를 포함한다. |
