| 发明名称 |
凸块结构与其形成方法 |
| 摘要 |
明提供一种凸块结构与其形成方法。凸块结构包括：一接触元件形成于一基板之上；一保护层位于该基板上，其中该保护层具有一保护层开口暴露该接触元件；一聚亚醯胺(polyimide)层位于该保护层之上，其中该聚亚醯胺层具有一聚亚醯胺层开口暴露该接触元件；一凸块下方金属化(UBM)特征结构电性耦合到该接触元件，其中该凸块下方金属化(UBM)特征结构具有一凸块下方金属化特征结构宽度；以及一铜柱位于该凸块下方金属化(UBM)特征结构之上，其中该铜柱的一末端具有一柱状结构宽度，该凸块下方金属化特征结构宽度大于该柱状结构宽度。
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| 申请公布号 |
TWI521660 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
| 申请号 |
TW102133795 |
申请日期 |
2013.09.18 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林彦良;曾裕仁;黄昶嘉;郭庭豪;陈承先 |
| 分类号 |
H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种凸块结构，包括：一接触元件形成于一基板之上；一保护层位于该基板上，其中该保护层具有一保护层开口暴露该接触元件；一聚亚醯胺(polyimide)层位于该保护层之上，其中该聚亚醯胺层具有一聚亚醯胺层开口暴露该接触元件；一凸块下方金属化(UBM)特征结构电性耦合到该接触元件，其中该凸块下方金属化(UBM)特征结构具有一凸块下方金属化特征结构宽度；以及一铜柱位于该凸块下方金属化(UBM)特征结构之上，其中该铜柱具有锥形线性(tapering linear)侧剖面，且其中该铜柱的一末端具有一柱状结构宽度，该凸块下方金属化特征结构宽度大于该柱状结构宽度，且该柱状结构宽度大于该聚亚醯胺层开口。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
