利用同时双面抛光来抛光半导体晶圆的方法

摘要

明系关于一种用于抛光半导体晶圆的方法，系在一抛光装置的一下抛光垫与一上抛光垫之间的间隙中利用同时双面抛光来进行。该方法包括：用修整工具对一个或全部二个抛光垫进行修整以及在修整后于间隙中抛光半导体晶圆；在修整过程中，该修整工具和与待修整抛光垫相对的抛光垫之间在该抛光垫的内边缘处的距离系与在该抛光垫的外边缘处的相应距离不同。

主权项

一种抛光至少一个半导体晶圆的方法，其系在一抛光装置的一间隙中在供应抛光剂的同时进行，该间隙介于一覆盖有一下抛光垫的下抛光板与一覆盖有一上抛光垫的上抛光板之间，该等抛光板与该等抛光垫具有一内边缘(inner edge)及一外边缘(outer edge)，该方法包括：用修整工具(dressing tool)对该上抛光垫及下抛光垫之第一个进行修整，所述修整包括使覆盖有第一个抛光垫的对应抛光板旋转，修整工具以如下方式安装在间隙中：修整工具从第一个抛光垫之内边缘延伸至外边缘；以及该修整工具与该上抛光垫及下抛光垫之第二个之间在第二个抛光垫的内边缘处的距离，系与在第二个抛光垫的外边缘处的相应距离不同；以及在修整后，在该间隙中同时双面抛光该至少一个半导体晶圆。