| 发明名称 | 金氧半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 金氧半导体元件的制造方法，包括在基底中形成两个凹槽，接着，进行第一磊晶成长制程，在各上述凹槽中形成第一半导体化合物层。之后，进行第二磊晶成长制程，第二磊晶成长制程的磊晶温度小于摄氏700度，以在各上述第一半导体化合物层上形成一顶层。顶层包括第二半导体化合物层，第二半导体化合物层凸出于基底的表面，且第一半导体化合物层与第二半导体化合物层是由是由第一IV族元素以及第二IV族元素所构成，第二IV族元素为非矽元素，其中第二半导体化合物层中第二IV族元素的含量低于第一半导体化合物层中第二IV族元素的含量。 | ||
| 申请公布号 | TWI521565 | 申请公布日期 | 2016.02.11 |
| 申请号 | TW100143379 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 廖晋毅;赖一铭;简金城 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;叶璟宗 | |
| 主权项 | 一种金氧半导体元件的制造方法，包括：在一基底中形成两个凹槽；进行一第一磊晶成长制程，在各该凹槽中形成一第一半导体化合物层；以及进行一第二磊晶成长制程，该第二磊晶成长制程的磊晶温度小于摄氏700度，以在各该第一半导体化合物层上形成一顶层，该顶层包括一第二半导体化合物层，该第二半导体化合物层凸出于该基底的表面，且该第一半导体化合物层与该第二半导体化合物层是由是由第一IV族元素以及第二IV族元素所构成，该第二IV族元素为非矽元素，其中该第二半导体化合物层中该第二IV族元素的含量低于该第一半导体化合物层中该第二IV族元素的含量，且该第二半导体化合物层的顶表面与该基底的表面的夹角小于40度。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||