| 发明名称 |
带有镶嵌位元线之半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
半导体装置，包含：数个第一导电图案，系彼此相邻且被包含第一及第二沟槽的沟槽隔离；第二导电图案，系形成在第一沟槽中；及绝缘图案，系部分地填入在第二导电图案下方的第二沟槽且形成在第一导电图案与第二导电图案之间。 |
| 申请公布号 |
TWI521648 |
申请公布日期 |
2016.02.11 |
| 申请号 |
TW101100156 |
申请日期 |
2012.01.03 |
| 申请人 |
海力士半导体股份有限公司 |
发明人 |
廉胜振;郭鲁正;朴昌宪;黄善焕 |
| 分类号 |
H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01);G11C7/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂;王彦评 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：数个第一导电图案，系彼此相邻且被包含第一及第二沟槽的沟槽隔离；第二导电图案，系形成在该第一沟槽中；及绝缘图案，系填入在该第二导电图案下方的该第二沟槽且形成在该第一导电图案与该第二导电图案之间，其中该第二导电图案包含接触复数个活性区的突出部。
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| 地址 |
南韩 |
