曝光修正方法与控制装置

摘要

曝光修正方法包括实行半导体制造程序于复数基板。该复数基板分为第一组与第二组。再加工实行于第二组的复数基板但不实行于第一组的复数基板。第一组与该第二组的复数基板的各自光微影制程的至少一曝光参数的一平均值被计算出来。扫描机重叠修正值与平均修正值被应用来曝光复数第二基板，这些复数第二基板已经过再加工程序。平均修正值系根据平均值而算出。

主权项

一种曝光修正方法，包括：(a)提供已经被一半导体制造程序处理的复数第一半导体基板；(b)提供已经被该半导体制造程序与一再加工程序处理的复数第二半导体基板；(c)使用一第一重叠修正值来曝光复数该第一半导体基板；以及(d)使用一第二重叠修正值与一平均修正值来曝光复数该第二半导体基板，其中该第一重叠修正值与该第二重叠修正值为一扫描机的两个重叠修正值。