半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种半导体装置和一种制造半导体装置
的方法。半导体装置包括一基板，一闸极结构在基板之上，一源/汲区在基板上与一对间隙壁相邻，蚀刻终止层在一对间隙壁旁且上覆基板，接触插塞延伸进入源/汲区且通过间隙壁部分重叠闸极结构；保护层在上覆于基板的蚀刻终止层之上，且覆盖没有接触插塞之间隙壁旁之蚀刻终止层；以及层间介电层，在保护层之上，接触插塞和闸极结构间，没有接触闸极短路的问题。

主权项

一种半导体装置，包含：一基板；一闸极结构在该基板之上，包含：一闸介电层，在该基板之上；一闸极，在该闸介电层之上；一绝缘层，在该闸极之上；以及一对间隙壁，在该闸极之两侧；一源/汲区，在该基板上与该对间隙壁相邻；一蚀刻终止层，在该对间隙壁旁且上覆该基板；一接触插塞，延伸进入该源/汲区且通过该间隙壁部分重叠该闸极结构；一保护层，在上覆该基板之该蚀刻终止层之上，且覆盖没有该接触插塞之该间隙壁旁之该蚀刻终止层；以及一层间介电层，在该保护层之上。