半导体装置用接合线及其制造方法

摘要

本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm²以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向<100>的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向<100>的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。

主权项

一种半导体装置用接合线，其Ag含量为90质量％以上，其特征在于，在包含线中心、并与线长度方向平行的截面即线中心截面中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm²以上的晶粒，测定所述线中心截面中的线长度方向的晶体取向，结果是相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积率计为50％以上且90％以下，测定线表面中的线长度方向的晶体取向，结果是相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积率计为50％以上且90％以下。