一种单闸源极共线的非挥发性内存及其操作方法

摘要

一种单闸源极共线的非挥发性内存及其操作方法，此非挥发性内存是在半导体基底内嵌晶体管及电容结构，晶体管包括第一介电层、第一导电闸极与多个第一离子掺杂区，而电容结构则包括第二介电层、第二离子掺杂区与第二导电闸极，其中第二介电层下方可进一步设有第三离子掺杂区，且第一导电闸极与第二导电闸极相电连接而形成记忆胞的单浮接闸极，源极与第二离子掺杂区亦相电连接，从而使源极与单浮接闸极共线，除了能够大幅减少记忆胞的面积，并可减少控制线路，从而大幅减少非挥发性内存的成本。

主权项

一种单闸源极共线的非挥发性内存，其特征在于，包括：一半导体基底；一晶体管，包括一第一介电层、一第一导电闸极与多个第一离子掺杂区，该第一介电层位于该半导体基底表面，该第一导电闸极迭设于该第一介电层上，该些第一离子掺杂区在该第一导电闸极的两侧分别形成源极及汲极；及一电容结构，包括一第二介电层、一第二离子掺杂区与一第二导电闸极，该第二介电层位于该半导体基底表面，该第二导电闸极迭设于该第二介电层上，该第二离子掺杂区与该第一离子掺杂区掺杂有同型的离子，并仅位于该第二介电层一侧，而在该第二介电层下方形成一通道，且该第一导电闸极与该第二导电闸极电连接而形成一单浮接闸极，该源极与该第二离子掺杂区电连接而使该源极与该单浮接闸极共线。