| 发明名称 | 面光源 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种具有发光面（6）的面光源，所述面光源包括至少一个半导体本体（2），所述半导体本体在工作时从其前侧（3）发射电磁辐射，并且所述面光源还具有耦合输出结构（7），所述耦合输出结构适用于在发光面（6）上产生光密度的局部变化，使得相对于背景区域（9）提高在至少一个发光区域（8）中的光密度（6）。 | ||
| 申请公布号 | CN102859273B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201180020516.7 | 申请日期 | 2011.04.04 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 彼得·布里克;约阿希姆·弗兰克;乌利·希勒;斯特凡·凯泽;格哈德·库恩;阿莱斯·马尔基坦;朱利叶斯·穆沙韦克;克里斯蒂安·诺厄尔格 |
| 分类号 | F21V11/14(2006.01)I;F21K99/00(2006.01)I | 主分类号 | F21V11/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;高少蔚 |
| 主权项 | 具有发光面(6)的面光源，包括：‑至少一个半导体本体(2)，所述半导体本体在工作时从其前侧(3)发射电磁辐射，‑耦合输出结构(7)，所述耦合输出结构适用于，在所述发光面(6)上产生光密度的局部变化，使得相对于背景区域(9)提高在至少一个发光区域(8)中的所述光密度，其中‑所述半导体本体(2)的发射辐射的前侧(3)平行于所述面光源的所述发光面(6)设置，并且‑所述半导体本体(2)嵌入光导体(11)中，并且所述耦合输出结构(7)在所述半导体本体(2)的所述发射辐射的前侧(3)的区域中设置在所述光导体(11)的指向所述发光面(6)的一侧上。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||