| 发明名称 | LDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有第二导电类型的漂移区，所述漂移区的上表面水平，在所述漂移区中紧邻漏端分布有第一导电类型的漂移区埋层；从漏端到沟道的方向上所述漂移区埋层的深度递减，以使得LDMOS器件工作时漂移区总是完全被耗尽；所述第一导电类型、第二导电类型分别是p型、n型；或者相反。本申请还公开了所述LDMOS器件的制造方法。本申请的LDMOS器件可同时获得高击穿电压和低导通电阻，器件特性比传统器件有很大的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN103633136B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201210297088.9 | 申请日期 | 2012.08.20 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 钱文生 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 殷晓雪 |
| 主权项 | 一种LDMOS器件，在沟道和漏端之间具有第二导电类型的漂移区，所述漂移区的上表面水平，其特征是，在所述漂移区中紧邻漏端分布有第一导电类型的漂移区埋层；从漏端到沟道的方向上所述漂移区埋层的深度递减，以使得LDMOS器件工作时漂移区总是完全被耗尽；所述第一导电类型、第二导电类型分别是p型、n型；或者相反。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||